ラティス·ネクサス·プラットフォーム

低消费电力，高信頼性，ハイパフォーマンスなデザインを実现

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ラティス·ネクサス·プラットフォームは，长年にわたるラティスの低消费电力FPGAについての専门知识と最先端的28nm FD-SOI半导体制造技术を组み合わせています。このプラットフォームで，ラティスは低消费电力，ハイパフォーマンス，高信頼性，小型パッケージのデバイスファミリーを短期间に开発することができます。

ラティス·ネクサス·プラットフォームが提供する新しい3つの特徴

  • プロセス技术：バルクプロセスと比较して，75％低い消费电力，100倍低いソフトエラー発生率
  • アーキテクチャ：一般的なAIアルゴリズムを最适に実现する组み込み大规模RAMブロック
  • ソリューション：充実した，IP，リファレンスデザイン，开発ソフトウェアのソリューション

    3つのイノベーション

    电路扩大图像

    回路デザイン：

    • FD-SOIテクノロジーの绝縁ゲートにより実现される设定変更可能なバックバイアスにより，性能/电力の最适化を実现
    • クリティカルエリア（オレンジ）サイズの削减により，ソフトエラーレート（SER）に対する信頼性が100倍上回る
    • FD-SOIはバルクCMOSプロセスを利用可能でプロセス处理数も少ない
    建筑扩大图像

    アーキテクチャ:

    • エッジ处理に最适な内蔵大容量RAM
    • 外部メモリへのアクセスが必要なくなりパフォーマンスが向上
    • 外部メモリにアクセスするために必要な消费电力を削减
    解决方案扩大图像

    ソリューション：

    • AI，エンベデッドビジョン，セキュリティにフォーカスしたソリューション
    • 制品开発を迅速に行うためのリファレンスデザイン，开発キット，ソフトIP，开発ソフトウェアを提供
    • エンドツーエンドの完全なソリューションにより，市场投入までの时间を短缩
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